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据媒体报道,长鑫存储计划针对服务器及PC应用的DDR4发布产品结束(EOL)通知,预计最晚在2026年上半年正式停止供货,转而全力投入DDR5及高带宽存储器(HBM)领域。
EOL通知预计在第三季度发布,但下游企业反映,目前市场上长鑫DDR4产品已近乎断供。
此前,三星电子和SK海力士已公布旧制程淘汰时间,但选择保留1z纳米制程的DDR4产能,该制程无需占用EUV产线,未来将维持有限供应。
长鑫存储最初的市占率仅为2%,预计到2025年底,其单月产能将达到28万片,未来有望突破30万片,相当于全球DRAM产量的15%。
随着产能扩大,长鑫也在快速转向DDR5,到2025年底,长鑫DDR5产能预计将和LPDDR4、LPDDR5一起,占产能的60%以上。
未来长鑫存储将不再开发标准型DDR4产品,仅保留部分产线为兆易创新代工生产,以保障消费市场的DDR4产品供应。
除了DDR5之外,长鑫存储据传还在开发一种“高端”的HBM解决方案,这很可能指的是 HBM3。
另据知情人士透露,国内的存储芯片厂商合肥长鑫存储将于今年内上市,预期估值将超1400亿人民币。
长鑫存储是少数几家中国半导体产业的大公司之一,该公司也是中国最大 DRAM 储存芯片制造商之一。
该公司是中国最大的 DRAM 制造商,主要生产 DRAM 芯片,这种芯片用于个人电脑、服务器和智能手机等设备。
长鑫存储的竞争对手包括三星电子、SK 海力士和美光科技等全球领先的存储芯片厂商。长鑫存储的 IPO 将为其提供更多的资金,以扩大产能和研发投入,以缩小与国际巨头的技术差距。
据韩国媒体报道,三星电子即将退出多层存储单元(MLC)NAND型闪存领域。
消息人士透露,三星计划在6月之后不再接受MLC NAND型闪存的新订单。
并且三星还告诉一位客户,其MLC NAND价格正在上涨,因此该客户正在寻找另一条供应线。
与此同时,韩国面板制造商LG Display也在积极寻找替代三星的MLC NAND供应商,LG Display主要将三星的MLC NAND应用于大型OLED面板所使用的4GB eMMC。
目前,LG Display的eMMC供应商包括三星、晶豪科技和铠侠,其中,晶豪科技的eMMC也依赖三星的MLC NAND,而铠侠则使用自家的MLC NAND为LG Display供货。
随着三星退出MLC NAND领域,其资源可能会进一步聚焦于TLC(三层)和QLC(四层)NAND闪存。
据Mordor Intelligence统计,TLC目前是全球NAND市场的主流,在全球NAND销售额中的市占率高达62%。
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